2026年03月26日讯：3月25日，注册资本3000万美元的长濑无锡高纯半导体材料制造基地项目正式签约无锡，落户锡山新材料产业园。

项目由日本长濑产业株式会社及旗下全资子公司长濑赛创（无锡）新材料有限公司联合打造，该项目拟用地约70亩，选址位于锡山新材料产业园，设计年产TMAH（显影液）等高纯电子化学品3.5万吨。项目计划于2026年8月动工，2028年1月建成投产，达产后预计可实现年销售5亿元、税收3500万元。后续项目将依托长濑在半导体领域的积累，进一步扩大基地产品布局，打造成为长濑在中国的电子化学品主要研发及生产基地。

活动现场签署了长濑高纯半导体材料制造基地项目和四方产业协同合作备忘录。

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