2026年07月09日讯：7月8日，中船派瑞特种气体（上海）有限公司电子特气和先进材料生产及研发项目建设项目环境影响评价受理信息公示。

项目新建1条1000吨/年六氟化钨生产线，同步配套1条三氟化氮分装线、5 条先进电子材料分装线，外购中船邯郸基地产出的高纯原料完成纯化分装后对外销售，建成后具备3000吨/年高纯三氟化氮、600吨/年先进电子材料分装规模。其中分装的先进电子材料主要 包括正硅酸乙酯（TEOS）、四甲基硅烷（4MS）和六氯乙硅烷（HCDS）。

延伸阅读：

高纯六氟化钨是唯一稳定且已实现工业化生产的钨氟化物。作为半导体化学气相沉积（CVD）工艺的核心前驱体，它主要用于在芯片内部纳米级的接触孔和通孔中沉积高纯度钨薄膜，构建低电阻、高可靠性的导电通路。凭借钨金属极高的熔点和优异的抗电迁移能力，它在先进逻辑芯片、3D NAND闪存和高带宽存储器（HBM）制造中具有不可替代性。随着AI算力爆发和存储芯片堆叠层数增加，其需求正急剧增长，而供应端受上游钨原料管制等因素影响出现波动，市场前景高度受关注。

高纯三氟化氮是一种具有强氧化性的高性能无机化合物，在集成电路和显示面板制造中应用广泛。其主要角色如同精细的“无影手”，凭借可控的蚀刻速率和选择性，在化学气相沉积（CVD）腔体清洗和干法刻蚀等关键工艺环节中，精准去除晶圆表面的多余物质、刻出纳米级电路图案。作为电子特气中用量占比最大的品种之一，其市场规模庞大。随着芯片制程不断微缩，对气体纯度的要求已提升至5N（99.999%）甚至更高水平。在半导体产业持续扩张与国产化进程加速的背景下，高纯三氟化氮拥有稳健且广阔的发展空间。

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